22. 8. 2019  2:19 Tichomír
Akademický informačný systém

Ľudia na STU


Na tejto stránke máte zobrazené všetky verejne prístupne údaje o zadanej osobe. Niektoré informácie o personálnom zaradení a funkciách osoby môžu byť skryté.

prof. Ing. Alexander Šatka, CSc.
Identifikačné číslo: 1865
Univerzitný e-mail: alexander.satka [at] stuba.sk
 
Profesor CSc.,PhD. - Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)

Kontakty     Výučba     Projekty     Publikácie     Orgány     Vedené práce     

Základné informácie

Základné informácie o záverečnej práci

Typ práce: Dizertačná práca
Názov práce:Aplikácia metódy Monte Carlo v rastrovacej elektrónovej mikroskopii GaN štruktúr
Autor: Ing. Juraj Priesol, PhD.
Pracovisko: Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)
Vedúci práce: prof. Ing. Alexander Šatka, CSc.
Oponent 1:Ing. Ján Kuzmík, DrSc.
Oponent 2:prof. Ing. Dušan Pudiš, PhD.
Stav záverečnej práce:Záverečná práca bola úspešne obhájená


Doplňujúce informácie

Nasledujú doplňujúce informácie záverečnej práce. Kliknutím na odkaz s názvom jazyka vyberiete, v akom jazyku majú byť informácie zobrazené.

Jazyk spracovania záverečnej práce:slovenský jazyk

slovenský jazyk        anglický jazyk

Názov práce:Aplikácia metódy Monte Carlo v rastrovacej elektrónovej mikroskopii GaN štruktúr
Abstrakt:Práca sa zaoberá štúdiom a rozvojom metód používaných v rastrovacej elektrónovej mikroskopii polovodičov využitím numerického modelovania metódou Monte Carlo. Hlavná pozornosť je venovaná mechanizmom vzniku a experimentálnym postupom používaným pri meraní katódoluminiscenčného žiarenia v GaN a príbuzných kompozitných polovodičoch a štruktúrach. Navrhnutý je algoritmus Monte Carlo simulácie pre vyšetrenie interakcie primárneho elektrónového zväzku s polovodičovou nanoštruktúrou s jednou InGaN/GaN kvantovou jamou. Analyzované sú hĺbkové distribúcie počtu zrážok a energetických strát primárnych elektrónov, ako aj príspevok jednotlivých častí štruktúry ku generácii nerovnovážnych nosičov náboja v závislosti od energie a uhla dopadu primárnych elektrónov. Numerickou simuláciou difúzie a rekombinácie generovaných nosičov náboja sú vyšetrené priestorové distribúcie elektrón-dierových párov rekombinujúcich v objeme polovodiča. Na základe získaných poznatkov sú navrhnuté experimentálne postupy umožňujúce odhadnúť difúznu dĺžku minoritných nosičov náboja, ako aj pozíciu kvantovej jamy v rámci štruktúry. Ďalšia časť práce je venovaná rozšíreniu numerického modelu s cieľom preskúmať rozloženie prúdu indukovaného elektrónovým zväzkom v okolí Schottkyho nano-kontaktu tvoreného metalickým hrotom umiestneným na povrchu GaN vrstvy. Na základe výsledkov Monte Carlo simulácií je analyzovaný vplyv difúznej dĺžky minoritných nosičov náboja, energie primárnych elektrónov a rozmerov Schottkyho kontaktu na rýchlosť poklesu prúdu indukovaného elektrónovým zväzkom s rastúcou vzdialenosťou od kontaktu.
Kľúčové slová:Rastrovacia elektrónová mikroskopia, GaN, Katódoluminiscencia, Prúd indukovaný elektrónovým zväzkom, Monte Carlo simulácia

Zobrazenie a sťahovanie súborov

Pokiaľ chcete zobraziť zadanie záverečnej práce, kliknite na ikonu Zobraziť zadanie. Ikony Záverečná práca, Prílohy práce, Posudok vedúceho a Posudok oponenta predstavujú súbory týkajúce sa záverečnej práce, ktoré je možné stiahnuť. Budú zobrazené iba v prípade, že je súbor vložený a zároveň je verejný.

Zobraziť zadanie

Časti práce s odloženým zverejnením:

Záverečná práca (prílohy záverečnej práce) neobmedzene
Posudky záverečnej práce neobmedzene