10. 12. 2019  5:20 Radúz
Akademický informačný systém

Ľudia na STU


Na tejto stránke máte zobrazené všetky verejne prístupne údaje o zadanej osobe. Niektoré informácie o personálnom zaradení a funkciách osoby môžu byť skryté.

doc. Ing. Andrea Šagátová, PhD.
Identifikačné číslo: 2564
Univerzitný e-mail: andrea.sagatova [at] stuba.sk
 
Docentka CSc.,PhD. - Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva (FEI)

Kontakty     Výučba     Projekty     Publikácie     
Orgány     Vedené práce     Konferencie     

Základné informácie

Základné informácie o záverečnej práci

Typ práce: Diplomová práca
Názov práce:Vplyv vysokoenergetických elektrónov na vlastnosti polovodičového detektora
Autor: Ing. František Hayden
Pracovisko: Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva (FEI)
Vedúci práce: doc. Ing. Andrea Šagátová, PhD.
Oponent:Ing. František Dubecký, CSc.
Stav záverečnej práce:Záverečná práca bola úspešne obhájená


Doplňujúce informácie

Nasledujú doplňujúce informácie záverečnej práce. Kliknutím na odkaz s názvom jazyka vyberiete, v akom jazyku majú byť informácie zobrazené.

Jazyk spracovania záverečnej práce:slovenský jazyk

slovenský jazyk        anglický jazyk

Názov práce:Vplyv vysokoenergetických elektrónov na vlastnosti polovodičového detektora
Abstrakt:Pre rastúce požiadavky na vlastnosti polovodičových detektorov bol gálium arzenid (GaAs) skúmaný pre radiačnú odolnosť voči neutrónom aj voči gama žiareniu. V mojej práci som preskúmal jeho radiačnú odolnosť voči elektrónom. Merané vzorky zo semi-izolačného GaAs boli ožarované elektrónmi s energiou 5 MeV v šiestich krokoch. Pred ožiarením a po každom kroku ožarovania som vyhodnotil spektrometrické vlastnosti detektora na základe meraní gama spektier Am-241 s energiou fotónov 59,5 keV. S rastúcou dávkou prišlo k miernemu zhoršeniu rozlišovacej schopnosti (FWHM) a k lineárnemu zhoršeniu účinnosti zberu nosičov náboja (CCE). Detekčná účinnosť (DU) však bola pri celkovej absorbovanej dávke vyššia ako pred ožiarením. Napriek čiastočnému zhoršeniu spektrometrických vlastností detektora po obdržaní dávky 120 kGy, sú skúmané GaAs detektory stále schopné detekcie ionizujúceho žiarenia s postačujúcou presnosťou. Pri danej dávke sa teda preukázala radiačná odolnosť GaAs voči elektrónom.
Kľúčové slová:polovodičový detektor GaAs, elektrónová radiačná odolnosť, FWHM, CCE, detekčná účinnosť

Zobrazenie a sťahovanie súborov

Pokiaľ chcete zobraziť zadanie záverečnej práce, kliknite na ikonu Zobraziť zadanie. Ikony Záverečná práca, Prílohy práce, Posudok vedúceho a Posudok oponenta predstavujú súbory týkajúce sa záverečnej práce, ktoré je možné stiahnuť. Budú zobrazené iba v prípade, že je súbor vložený a zároveň je verejný.

Zobraziť zadanie

Časti práce s odloženým zverejnením:

Záverečná práca (prílohy záverečnej práce) neobmedzene
Posudky záverečnej práce neobmedzene