24. 7. 2019  8:58 Vladimír
Akademický informačný systém

Ľudia na STU


Na tejto stránke máte zobrazené všetky verejne prístupne údaje o zadanej osobe. Niektoré informácie o personálnom zaradení a funkciách osoby môžu byť skryté.

Ing. Martin Florovič, PhD.
Identifikačné číslo: 4824
Univerzitný e-mail: martin.florovic [at] stuba.sk
 
Výskumný pracovník s VŠ vzdelaním - Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)

Kontakty     Publikácie     Vedené práce     

Rok:
Zoraďovať podľa:

Vybraná osoba je autorom nasledujúcich publikácií.

Por.PublikácieDruh výsledkuRokPodrobnosti
1.Advanced characterization techniques and analysis of thermal properties of AlGaN/GaN multifinger power HEMTs on SiC substrate supported by three-dimensional simulation
Chvála, Aleš -- Szobolovszký, Robert -- Kováč, Jaroslav -- Florovič, Martin -- Marek, Juraj -- Černaj, Ľuboš -- Donoval, Daniel -- Kováč, Jaroslav -- Dua, Christian -- Delage, Sylvain Laurent -- Jacquet, Jean-Claude
Advanced characterization techniques and analysis of thermal properties of AlGaN/GaN multifinger power HEMTs on SiC substrate supported by three-dimensional simulation. Journal of Electronic Packaging, 141. s. 2019.
články v časopisoch2019Podrobnosti
2.DLTFS study of emission and capture processes in GaN/AlGaN/GaN/SiC HEMT heterostructures with different layer compositions
Drobný, Jakub -- Benko, Peter -- Kósa, Arpád -- Kopecký, Andrej -- Florovič, Martin -- Kováč, Jaroslav -- Delage, Sylvain Laurent -- Stuchlíková, Ľubica
DLTFS study of emission and capture processes in GaN/AlGaN/GaN/SiC HEMT heterostructures with different layer compositions. In WOCSDICE 2019: 43rd Workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits held in Europe. Cabourg, France. June 17-19, 2019. Cabourg : 2019.
príspevky v zborníkoch, kapitoly v monografiách/učebniciach, abstrakty2019Podrobnosti
3.DLTFS study of GaN/AlGaN/GaN/SiC HEMT heterostructures with different layer composition
Drobný, Jakub -- Kopecký, Andrej -- Kósa, Arpád -- Benko, Peter -- Florovič, Martin -- Kováč, Jaroslav -- Delage, Sylvain Laurent -- Stuchlíková, Ľubica
DLTFS study of GaN/AlGaN/GaN/SiC HEMT heterostructures with different layer composition. In JANDURA, D. -- ŠUŠLIK, Ľ. -- URBANCOVÁ, P. -- KOVÁČ, J. ADEPT 2019. Žilina: University of Žilina, 2019, s. 111--114. ISBN 978-80-554-1568-0.
príspevky v zborníkoch, kapitoly v monografiách/učebniciach, abstrakty2019Podrobnosti
4.Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation
Florovič, Martin -- Szobolovszký, Robert -- Kováč, Jaroslav -- Kováč, Jaroslav -- Chvála, Aleš -- Jacquet, Jean-Claude -- Delage, Sylvain Laurent
Channel temperature determination of HEMT in quasi-static operation. In JANDURA, D. -- ŠUŠLIK, Ľ. -- URBANCOVÁ, P. -- KOVÁČ, J. ADEPT 2019. Žilina: University of Žilina, 2019, s. 55--58. ISBN 978-80-554-1568-0.
príspevky v zborníkoch, kapitoly v monografiách/učebniciach, abstrakty2019Podrobnosti
5.Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT
Florovič, Martin -- Szobolovszký, Robert -- Kováč, Jaroslav -- Kováč, Jaroslav -- Chvála, Aleš -- Jacquet, Jean-Claude -- Delage, Sylvain Laurent
Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT. Semiconductor Science and Technology, 34. s. 2019.
články v časopisoch2019Podrobnosti

Pomocou nasledujúceho tlačidla môžete zobrazený zoznam publikácií exportovať do formátu pre tabuľkový procesor Excel.