12. 12. 2019  4:35 Otília
Akademický informační systém

Lidé na STU


Na této stránce máte zobrazeny všechny veřejně přístupné údaje o zadané osobě. Některé informace o personálním zařazení a funkcích osoby mohou být skryty.

Ing. Arpád Kósa, PhD.
Identifikační číslo: 50249
Univerzitní e-mail: arpad.kosa [at] stuba.sk
 
Výskumný pracovník s VŠ vzdelaním - Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)

Kontakty     Absolvent     Výuka     Závěrečná práce     
Projekty     Publikace     Vedené práce     

Základní informace

Základní informace o závěrečné práci

Typ práce: Disertační práce
Název práce:Deep Level Transient Spectroscopy study of emission and capture processes in multilayer semiconductor structures
Autor: Ing. Arpád Kósa, PhD.
Pracoviště: Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)
Vedoucí práce: prof. Ing. Ľubica Stuchlíková, PhD.
Oponent 1:Ing. Jozef Osvald, DrSc.
Oponent 2:doc. Ing. Igor Jamnický, CSc.
Stav závěrečné práce:Závěrečná práce byla úspěšně obhájena


Doplňující informace

Následují doplňující informace závěrečné práce. Kliknutím na odkaz s názvem jazyka zvolíte, v jakém jazyce mají být informace zobrazeny.

Jazyk zpracování závěrečné práce:anglický jazyk

slovenský jazyk        anglický jazyk

Název práce:Deep Level Transient Spectroscopy study of emission and capture processes in multilayer semiconductor structures
Abstrakt:The dissertation thesis deals with the proposition of an effective approach or guide of high reliability electrically active defect investigation and the evaluation of emission and capture processes in multilayer semiconductor structures, based on experimental and analytical approaches of Deep Level Transient Spectroscopy. Main attention is focused on limiting reliability factors and solutions of methodical challenges in terms of complicated structure analysis such as involvement of undoped semiconductor layers, composition and growth parameter defect dependencies. Actual research is oriented on development of high efficiency multilayer solar cells, in which InGaAsN represents a perspective direction. Defect study of these structures has the potential to address each methodical challenge and to support the current research. Therefore main object of this thesis is to carry out a complex investigation oriented on InGaAsN tandem solar cells.
Klíčová slova:Deep Level Transient Fourier Spectroscopy, emission and capture processes, multilayer semiconductor structure, solar cell, GaAs, InGaAs, GaAsN, InGaAsN

Zobrazení a stahování souborů

Pokud chcete zobrazit zadání závěrečné práce, klikněte na ikonu Zobrazit zadání. Ikony Závěrečná práce, Přílohy práce, Posudek vedoucího a Posudek oponenta představují soubory týkající se závěrečné práce, které je možné stáhnout. Budou zobrazeny pouze v případě, že je soubor vložen a zároveň je veřejný.

Zobrazit zadání

Části práce s odloženým zveřejněním:

Závěrečná práce (přílohy závěrečné práce) neomezeně
Posudky závěrečné práce neomezeně