29. 1. 2020  2:41 Gašpar
Akademický informačný systém

Ľudia na STU


Na tejto stránke máte zobrazené všetky verejne prístupne údaje o zadanej osobe. Niektoré informácie o personálnom zaradení a funkciách osoby môžu byť skryté.

Ing. Arpád Kósa, PhD.
Identifikačné číslo: 50249
Univerzitný e-mail: arpad.kosa [at] stuba.sk
 
Výskumný pracovník s VŠ vzdelaním - Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)

Kontakty     Absolvent     Výučba     Záverečná práca     
Projekty     Publikácie     Vedené práce     

Základné informácie

Základné informácie o záverečnej práci

Typ práce: Dizertačná práca
Názov práce:Štúdium emisných a záchytných procesov vo viacvrstvových polovodičových štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
Autor: Ing. Arpád Kósa, PhD.
Pracovisko: Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)
Vedúci práce: prof. Ing. Ľubica Stuchlíková, PhD.
Oponent 1:Ing. Jozef Osvald, DrSc.
Oponent 2:doc. Ing. Igor Jamnický, CSc.
Stav záverečnej práce:Záverečná práca bola úspešne obhájená


Doplňujúce informácie

Nasledujú doplňujúce informácie záverečnej práce. Kliknutím na odkaz s názvom jazyka vyberiete, v akom jazyku majú byť informácie zobrazené.

Jazyk spracovania záverečnej práce:anglický jazyk

slovenský jazyk        anglický jazyk

Názov práce:Deep Level Transient Spectroscopy study of emission and capture processes in multilayer semiconductor structures
Abstrakt:The dissertation thesis deals with the proposition of an effective approach or guide of high reliability electrically active defect investigation and the evaluation of emission and capture processes in multilayer semiconductor structures, based on experimental and analytical approaches of Deep Level Transient Spectroscopy. Main attention is focused on limiting reliability factors and solutions of methodical challenges in terms of complicated structure analysis such as involvement of undoped semiconductor layers, composition and growth parameter defect dependencies. Actual research is oriented on development of high efficiency multilayer solar cells, in which InGaAsN represents a perspective direction. Defect study of these structures has the potential to address each methodical challenge and to support the current research. Therefore main object of this thesis is to carry out a complex investigation oriented on InGaAsN tandem solar cells.
Kľúčové slová:Deep Level Transient Fourier Spectroscopy, emission and capture processes, multilayer semiconductor structure, solar cell, GaAs, InGaAs, GaAsN, InGaAsN

Zobrazenie a sťahovanie súborov

Pokiaľ chcete zobraziť zadanie záverečnej práce, kliknite na ikonu Zobraziť zadanie. Ikony Záverečná práca, Prílohy práce, Posudok vedúceho a Posudok oponenta predstavujú súbory týkajúce sa záverečnej práce, ktoré je možné stiahnuť. Budú zobrazené iba v prípade, že je súbor vložený a zároveň je verejný.

Zobraziť zadanie

Časti práce s odloženým zverejnením:

Záverečná práca (prílohy záverečnej práce) neobmedzene
Posudky záverečnej práce neobmedzene