26. 1. 2020  21:37 Tamara
Akademický informačný systém

Ľudia na STU


Na tejto stránke máte zobrazené všetky verejne prístupne údaje o zadanej osobe. Niektoré informácie o personálnom zaradení a funkciách osoby môžu byť skryté.

Ing. Ján Kuzmík, DrSc.
Identifikačné číslo: 5500
Univerzitný e-mail: qkuzmik [at] stuba.sk
 
Externý spolupracovník - Fakulta elektrotechniky a informatiky (STU)

Kontakty     Orgány     Vedené práce     

Základné informácie

Základné informácie o záverečnej práci

Typ práce: Dizertačná práca
Názov práce:Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN
Autor: Ing. Michal Jurkovič, PhD.
Pracovisko: Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)
Vedúci práce: Ing. Ján Kuzmík, DrSc.
Oponent 1:prof. Ing. Jaroslav Kováč, CSc.
Oponent 2:Ing. Vojtech Nádaždy, CSc.
Stav záverečnej práce:Záverečná práca bola úspešne obhájená


Doplňujúce informácie

Nasledujú doplňujúce informácie záverečnej práce. Kliknutím na odkaz s názvom jazyka vyberiete, v akom jazyku majú byť informácie zobrazené.

Jazyk spracovania záverečnej práce:slovenský jazyk

slovenský jazyk        anglický jazyk

Názov práce:Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN
Abstrakt:V dizertačnej práci sme sa zaoberali normálne-zatvorenými HFET štruktúrami na báze GaN pre vysoko-výkonové spínacie aplikácie. Štruktúry na báze GaN sú priamo predurčené pre tieto aplikácie, dokážu spínať vysoké výkony takmer bez strát a pritom je možné ich aplikovať aj v prostrediach so sťaženými podmienkami. V experimentálnej časti predstavujeme koncept obohacovacieho tranzistora na báze heteroštruktúry InAlN/GaN s tenkou krycou vrstvou z nedopovaného GaN, ktorá vyprázdňuje 2DEG. Jej odleptaním z prístupových oblastí odstránime negatívny polarizačný a populujeme 2DEG. Dôkladne sa venujeme selektívnemu leptaniu tenkých vrstiev GaN voči bariérovým vrstvám s obsahom Al pomocou RIE. Leptaním v CCl2F2 plazme sme dosiahli veľmi vysokú selektivitu leptania GaN voči vrstvám s obsahom Al. Pripravené tranzistory vykazovali výstupný prúd IDS = 140 mA/mm, prahové napätie UT = 0,5 V a pomer výstupných prúdov medzi zapnutým a vypnutým stavom 105. Prierazné napätie vyvinutých tranzistorov je až 310 V pri vzdialenosti LGD = 3 um, čo je doteraz najvyššie prierazné napätie SB HFET na báze InAlN/GaN. Koncept MOSHFET štruktúry na báze AlN/AlGaN/GaN s nastaviteľným UT predstavujeme ako možné riešenie pre dosiahnutie UT > 1 V. Koncept vychádza z teoretického modelu MOSHFET štruktúr, ktorý uvažuje s existenciou povrchových donorov na rozhraní heteroštruktúry a izolačnej oxidovej vrstvy, ktoré kompenzujú negatívny polarizačný náboj povrchovej vrstvy heteroštruktúry. Úplným potlačením náboja povrchových donorov by malo byť možne nastavovať prahové napätie v kladnom smere hrúbkou oxidačnej vrstvy. Z elektrických meraní môžeme vidieť výrazný kladný posun prahového napätia plazmaticky oxidovanej štruktúry, ako aj MOSHFET štruktúry s 10 a 20 nm dodatočného Al2O3 pod hradlom v porovnaní s SB HFET štruktúrou a termicky oxidovanou štruktúrou. Plazmaticky oxidovaná štruktúra a MOSHFET štruktúry vykázali prahové napätie > 1 V, pritom sme dokázali zachovať vysoký výstupný prúd a potlačili sme zvodové prúdy. Simuláciami sa nám podarilo ukázať potlačenie náboja povrchových donorov. Predstavený koncept ukazuje smer budúceho výskumu tranzistorov na báze GaN pri požiadavke dosiahnutia vysokého prahového napätia a zároveň vysokého výstupného prúdu.
Kľúčové slová:MOS, prieraz, InAlN/GaN, GaN, normally-off, výkon, HFET

Zobrazenie a sťahovanie súborov

Pokiaľ chcete zobraziť zadanie záverečnej práce, kliknite na ikonu Zobraziť zadanie. Ikony Záverečná práca, Prílohy práce, Posudok vedúceho a Posudok oponenta predstavujú súbory týkajúce sa záverečnej práce, ktoré je možné stiahnuť. Budú zobrazené iba v prípade, že je súbor vložený a zároveň je verejný.

Zobraziť zadanie

Časti práce s odloženým zverejnením:

Záverečná práca (prílohy záverečnej práce) neobmedzene
Posudky záverečnej práce neobmedzene