11. 12. 2019  15:57 Hilda
Akademický informačný systém

Ľudia na STU


Na tejto stránke máte zobrazené všetky verejne prístupne údaje o zadanej osobe. Niektoré informácie o personálnom zaradení a funkciách osoby môžu byť skryté.

Ing. Peter Jančovič
Identifikačné číslo: 55747
Univerzitný e-mail: peter.jancovic [at] stuba.sk
 
2613V25  elektronika a fotonika D-EF
FEI D-EF-ELU den [roč 3]
Doktorandský typ štúdia, denná prezenčná forma
ELU-SAV, 3. ročník

Kontakty     Absolvent     Záverečná práca     Publikácie     

Základné informácie

Základné informácie o záverečnej práci

Typ práce: Diplomová práca
Názov práce:Odporové prepínanie v štruktúrach kov-izolant-kov s využitím v nových pamäťových štruktúrach
Autor: Ing. Peter Jančovič
Pracovisko: Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)
Vedúci práce: doc. Ing. Milan Žiška, PhD.
Oponent:Ing. Ladislav Matay, PhD.
Stav záverečnej práce:Záverečná práca bola úspešne obhájená


Doplňujúce informácie

Nasledujú doplňujúce informácie záverečnej práce. Kliknutím na odkaz s názvom jazyka vyberiete, v akom jazyku majú byť informácie zobrazené.

Jazyk spracovania záverečnej práce:slovenský jazyk

slovenský jazyk        anglický jazyk

Názov práce:Odporové prepínanie v štruktúrach kov-izolant-kov s využitím v nových pamäťových štruktúrach
Abstrakt:Práca sa zaoberá novou problematikou pamätí na báze prepínania odporu (rezistívnych pamätí). Tie by mali nahradiť v súčasnosti používané typy pamäťových štruktúr. Sú mechanicky odolné, nepotrebujú napájanie na uchovaniu stavu a kvôli svojej jednoduchosti umožňujú vysoký stupeň integrácie. V prvej časti je uvedené rozdelenie typov rezistívnych pamätí a ich stručný popis. Dôraz sa kladie na redoxné pamäte, ktoré sú teoreticky najviac popísané, aby objasnili podstatu prepínania odporu v rezistívnych pamätiach. V ďalšej časti práce je rozobraté pozorovanie prepínania odporu v štruktúrach kov-izolant-kov (Metal Insulator Metal, MIM) na báze TiO2 a HfO2 ako spínacej vrstvy. Cieľom práce bolo priniesť prehľad o štruktúrach kov-izolant-kov pre pamäťové bunky na báze prepínania odporu a elektricky charakterizovať takého štruktúry so spínacími vrstvami TiO2 a HfO2. Spínacie vrstvy boli pripravené metódou depozície atómových vrstiev (Atomic Layer Deposition, ALD). Pripravené MIM štruktúry využívajú TiO2 a HfO2 ako spínacie vrstvy, Pt ako hornú elektródu a TiN ako spodnú elektródu. Štruktúry boli elektricky charakterizované a bolo na nich pozorované bipolárne prepínanie odporu.
Kľúčové slová:redox-RAM, odporové prepínanie, kov-izolant-kov

Zobrazenie a sťahovanie súborov

Pokiaľ chcete zobraziť zadanie záverečnej práce, kliknite na ikonu Zobraziť zadanie. Ikony Záverečná práca, Prílohy práce, Posudok vedúceho a Posudok oponenta predstavujú súbory týkajúce sa záverečnej práce, ktoré je možné stiahnuť. Budú zobrazené iba v prípade, že je súbor vložený a zároveň je verejný.

Zobraziť zadanie

Časti práce s odloženým zverejnením:

Záverečná práca (prílohy záverečnej práce) neobmedzene
Posudky záverečnej práce neobmedzene