21. 10. 2020  5:06 Uršuľa
Akademický informační systém

Lidé na STU


Na této stránce máte zobrazeny všechny veřejně přístupné údaje o zadané osobě. Některé informace o personálním zařazení a funkcích osoby mohou být skryty.

Ing. Jakub Drobný
Identifikační číslo: 72627
Univerzitní e-mail: jakub.drobny [at] stuba.sk
 
2613V25  elektronika a fotonika D-EF
FEI D-EF pres [roč 3]
Doktorský typ studia, denní presenční forma
3. ročník

Kontakty          Závěrečná práce
     
               

Základní informace

Základní informace o závěrečné práci

Typ práce:
Diplomová práce
Název práce:
Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
Autor:
Pracoviště:
Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)
Vedoucí práce:
Oponent:Ing. Pavol Písečný, PhD.
Stav závěrečné práce:
Závěrečná práce byla úspěšně obhájena


Doplňující informace

Následují doplňující informace závěrečné práce. Kliknutím na odkaz s názvem jazyka zvolíte, v jakém jazyce mají být informace zobrazeny.

Jazyk zpracování závěrečné práce:
slovenský jazyk

slovenský jazyk        anglický jazyk

Název práce:Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
Abstrakt:
Práca sa zaoberá charakterizáciou vplyvu post-depozičného spracovania oxidovej vrstvy na hustotu stavov rozhrania a elekricky aktívnych porúch v štruktúrach Al2O3/GaN/AlGaN/GaN MOS-HEMT kapacitnými metódami. Teoretická časť sa venuje vlastnostiam materiálu GaN a štruktúr MOS-HEMT, vybraným elektrofyzikálnym procesom prebiehajúcich v daných štruktúrach a základným princípom teórie metódy DLTS. V rámci experimentálnej časti bola kvantifikovaná distribúcia stavov rozhrania a vplyv žíhania v štruktúrach Al2O3/GaN/AlGaN/GaN MOS-HEMT. Zníženie hustoty stavov rozhrania približne z 1013 na 1012 eV-1cm-2 v energetickom rozsahu 0,5 až 1,2 eV pod spodným okrajom EC GaN bariérovej vrstvy potvrdilo pozitívny vplyv post-depozičného žíhania. Získané výsledky boli overené simuláciou CV charakteristík. Spektroskopiou hlbokých hladín bola určená distribúcia hlbokých hladín a identifikované základné parametre 8 porúch. Bola potvrdená prítomnosť dislokácii a vakancií. Výsledky DLTS meraní sú v súlade s výsledkami meraní stavov rozhrania.
Klíčová slova:
DLTS, GaN, stavy rozhrania, MOS-HEMT

Zobrazení a stahování souborů

Pokud chcete zobrazit zadání závěrečné práce, klikněte na ikonu Zobrazit zadání. Ikony Závěrečná práce, Přílohy práce, Posudek vedoucího a Posudek oponenta představují soubory týkající se závěrečné práce, které je možné stáhnout. Budou zobrazeny pouze v případě, že je soubor vložen a zároveň je veřejný.

Části práce s odloženým zveřejněním:

Závěrečná práce (přílohy závěrečné práce) neomezeně
Posudky závěrečné práce neomezeně