19. 1. 2020  5:26 Drahomíra, Mário, Sára
Akademický informačný systém

Ľudia na STU


Na tejto stránke máte zobrazené všetky verejne prístupne údaje o zadanej osobe. Niektoré informácie o personálnom zaradení a funkciách osoby môžu byť skryté.

doc. Ing. Andrea Šagátová, PhD.
Identifikačné číslo: 2564
Univerzitný e-mail: andrea.sagatova [at] stuba.sk
 
Docentka CSc.,PhD. - Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva (FEI)

Kontakty     Výučba     Projekty     Publikácie     
Orgány     Vedené práce     Konferencie     

Základné informácie

Základné informácie o záverečnej práci

Typ práce: Bakalárska práca
Názov práce:Charakterizácia polovodičového detektora ionizujúceho žiarenia
Autor: Ing. František Hayden
Pracovisko: Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva (FEI)
Vedúci práce: doc. Ing. Andrea Šagátová, PhD.
Oponent:Mgr. Bohumír Zaťko, PhD.
Stav záverečnej práce:Záverečná práca bola úspešne obhájená


Doplňujúce informácie

Nasledujú doplňujúce informácie záverečnej práce. Kliknutím na odkaz s názvom jazyka vyberiete, v akom jazyku majú byť informácie zobrazené.

Jazyk spracovania záverečnej práce:slovenský jazyk

slovenský jazyk        anglický jazyk

Názov práce:Characterization of semiconductor detectors of ionizing radiation
Abstrakt:Until now, the most widely used material for production of detectors of ionizing radiation is silicon. However, currently there are searchings for new, particularly semiconductor materials, which are suitable as a replacement for silicon material concerning their electrical and spectrometric properties. Important in the search of new materials are both availability and price. In my work, I gave an overview of several materials which are the subjects of the current investigations. GaAs has been shown as very promising choice of material for detectors in these applications. In my work I report the results of an experimental study on the detection performances of three semi-insulating GaAs detectors tested with 59,5 keV gamma-photons. Investigated detectors will be studied from point of view of radiation hardness to electrons in the future. Two of the investigated detectors have high breakdown voltage 400 V. and gave comparable spectra, that mean, they are, unlike the third, appropriate for the investigation of electron radiation hardness of GaAs.
Kľúčové slová:silicon, semiconductor detectors, gallium arsenit

Zobrazenie a sťahovanie súborov

Pokiaľ chcete zobraziť zadanie záverečnej práce, kliknite na ikonu Zobraziť zadanie. Ikony Záverečná práca, Prílohy práce, Posudok vedúceho a Posudok oponenta predstavujú súbory týkajúce sa záverečnej práce, ktoré je možné stiahnuť. Budú zobrazené iba v prípade, že je súbor vložený a zároveň je verejný.

Zobraziť zadanie

Časti práce s odloženým zverejnením:

Záverečná práca (prílohy záverečnej práce) neobmedzene
Posudky záverečnej práce neobmedzene