18. 1. 2020  2:25 Bohdana
Akademický informační systém

Lidé na STU


Na této stránce máte zobrazeny všechny veřejně přístupné údaje o zadané osobě. Některé informace o personálním zařazení a funkcích osoby mohou být skryty.

Ing. Arpád Kósa, PhD.
Identifikační číslo: 50249
Univerzitní e-mail: arpad.kosa [at] stuba.sk
 
Výskumný pracovník s VŠ vzdelaním - Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)

Kontakty     Absolvent     Výuka     Závěrečná práce     
Projekty     Publikace     Vedené práce     

Základní informace

Základní informace o závěrečné práci

Typ práce: Bakalářská práce
Název práce:Skúmanie vlastností polovodičových štruktúr metódou DLTS
Autor: Ing. Arpád Kósa, PhD.
Pracoviště: Katedra mikroelektroniky (FEI)
Vedoucí práce: prof. Ing. Ľubica Stuchlíková, PhD.
Oponent:Ing. Martin Vallo
Stav závěrečné práce:Závěrečná práce byla úspěšně obhájena


Doplňující informace

Následují doplňující informace závěrečné práce. Kliknutím na odkaz s názvem jazyka zvolíte, v jakém jazyce mají být informace zobrazeny.

Jazyk zpracování závěrečné práce:slovenský jazyk

slovenský jazyk        anglický jazyk

Název práce:The investigation of semiconductor structures properties by DLTS method
Abstrakt:This work deals with the identification of deep energy levels in semiconductor structures based on Si using the Deep Level Transient Spectroscopy method. In the experimental part of this work two types of Schottky structures were examined: a referent with intentionally created deep levels of Au and a radiation detector, before and after neutron irradiation. Experiments were realized with the measuring system DL8000 at the Department of Microelectronics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technologies, Slovak University of Technology in Bratislava. Further investigations were carried out using the software Dlts 2.6, Microsoft Office Excel 2007 and Origin Pro 7.5. According to the results of referent measurements, different methods of evaluation were compared. The effects of neutron irradiation were verified by analyzing the DLTS spectra, measured on the detector before and after the irradiation. Based on the experiences gained during the analysis of the measured DLTS spectra we created the basics for the section "Analysis and processing of DLTS spectra" in the learning module "DLTS", course "Electrical characterization of semiconductor structures and devices" located on the portal "eLearn central".
Klíčová slova:DLTS, Deep energy levels, silicon

Aktuální stupeň zveřejnění
 
zpřístupňování vytvořené digitální rozmnoženiny školního díla online prostřednictvím internetu bez omezení, včetně práva poskytovat sublicence třetí osobě na studijní, vědecké, vzdělávací a informační účely.


Zobrazení a stahování souborů

Pokud chcete zobrazit zadání závěrečné práce, klikněte na ikonu Zobrazit zadání. Ikony Závěrečná práce, Přílohy práce, Posudek vedoucího a Posudek oponenta představují soubory týkající se závěrečné práce, které je možné stáhnout. Budou zobrazeny pouze v případě, že je soubor vložen a zároveň je veřejný.

Zobrazit zadáníZávěrečná práce

Části práce s odloženým zveřejněním:

Posudky závěrečné práce neomezeně