20. 11. 2019  0:42 Félix
Akademický informační systém

Přehled vypsaných témat - Fakulta elektrotechniky a informatiky


Základní údaje

Typ práce: Diplomová práce
Název tématu: Elektrická charakterizácia štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN s AlON dielektrickou vrstvou pomocou reaktívneho naprašovania
Název tématu anglicky: Electrical characterization of MIS-HFET on GaN with AlON gate oxide
Stav tématu: schváleno (prof. Ing. Daniel Donoval, DrSc. - Garant studijního programu)
Vedoucí práce: Ing. Roman Stoklas, PhD.
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky
Garantující pracoviště: Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)
Max. počet studentů: --
Akademický rok:2019/2020
Navrhl: Ing. Roman Stoklas, PhD.
Abstrakt: Pedagogický vedúci: Ing. M. Florovič, PhD. (ÚEF FEI STU) Tému vypisuje Elektrotechnický ústav SAV, pozri PhD štúdium na www.elu.sav.sk. Súčiastky vyrobené na báze GaN sú schopné dosiahnuť vysoký vysoko-frekvenčný výkon, ako aj pracovať v oblasti vysokých teplôt (~900°C). Taktiež vysoké hodnoty spontánnej a piezoelektrickej polarizácie GaN-u umožňujú vytvárať FET tranzistory s heteropriechodom, kde je ako bariéra použitý AlGaN príp. InAlN. Hlavné obmedzenia HFET tranzistorov sú vysoké zvodové prúdy a prúdový kolaps spôsobený pascami na povrchu resp. v objeme tranzistora. Zníženie týchto obmedzení dosiahneme depozíciou dielektrickej vrstvy pod hradlo (izolácia hradla) resp. medzi hradlom a ohmickými kontaktami, alebo ich kombináciou. V súčasnosti je vo veľkej miere využívaná depozícia po atomárnych vrstvách (ALD). Nízkoteplotná depozícia (pod 100°C) je spojená s vyššou hustotou stavov na rozhraní oxid/polovodič v porovnaní s depozíciou nad 250°C. Ako alternatíva k nízkoteplotnej ALD ja v rámci diolomovej práce sústredíme na analýzu dielektrickej vrstvy pripravnej pomocou reaktívneho naprašovania. Úlohou študenta bude oboznámenie sa so základnými vlastnosťami MOS štruktúry s AlON dielektrickou vrstvou, ako aj porovnaním jej statických a dynamických vlastností. Práca bude zameraná na sledovanie prúdového kolapsu pomocou jednosmerných a impulzných meraní ako aj na sledovanie dlhodobej časovej stability skúmaných štruktúr.



Omezení k tématu

K přihlášení řešitele na téma je potřeba splnění jednoho z následujících omezení

Omezení dle studia
Tabulka zobrazuje omezení dle studia, na které musí být student zapsán, aby se mohl na dané téma přihlásit.

Program
I-EN elektronika a fotonika

Omezení na předměty
Tabulka zobrazuje omezení na předmět, který musí mít student odstudován, aby se mohl na dané téma přihlásit.

PracovištěNázev předmětu
Nenalezena žádná vyhovující data.