Oct 20, 2019   11:29 p.m. Vendelín
Academic information system

Summary of topics offered - Faculty of Electrical Engineering and Information Technology


Basic information

Type of work: Diploma thesis
Topic: Elektrická charakterizácia štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN s AlON dielektrickou vrstvou pomocou reaktívneho naprašovania
Title of topic in English: Electrical characterization of MIS-HFET on GaN with AlON gate oxide
State of topic: approved (prof. Ing. Daniel Donoval, DrSc. - Study programme supervisor)
Thesis supervisor: Ing. Roman Stoklas, PhD.
Faculty: Faculty of Electrical Engineering and Information Technology
Supervising department: Institute of Electronics and Phototonics - FEEIT
Max. no. of students: --
Academic year:2019/2020
Proposed by: Ing. Roman Stoklas, PhD.
Summary: Pedagogický vedúci: Ing. M. Florovič, PhD. (ÚEF FEI STU) Tému vypisuje Elektrotechnický ústav SAV, pozri PhD štúdium na www.elu.sav.sk. Súčiastky vyrobené na báze GaN sú schopné dosiahnuť vysoký vysoko-frekvenčný výkon, ako aj pracovať v oblasti vysokých teplôt (~900°C). Taktiež vysoké hodnoty spontánnej a piezoelektrickej polarizácie GaN-u umožňujú vytvárať FET tranzistory s heteropriechodom, kde je ako bariéra použitý AlGaN príp. InAlN. Hlavné obmedzenia HFET tranzistorov sú vysoké zvodové prúdy a prúdový kolaps spôsobený pascami na povrchu resp. v objeme tranzistora. Zníženie týchto obmedzení dosiahneme depozíciou dielektrickej vrstvy pod hradlo (izolácia hradla) resp. medzi hradlom a ohmickými kontaktami, alebo ich kombináciou. V súčasnosti je vo veľkej miere využívaná depozícia po atomárnych vrstvách (ALD). Nízkoteplotná depozícia (pod 100°C) je spojená s vyššou hustotou stavov na rozhraní oxid/polovodič v porovnaní s depozíciou nad 250°C. Ako alternatíva k nízkoteplotnej ALD ja v rámci diolomovej práce sústredíme na analýzu dielektrickej vrstvy pripravnej pomocou reaktívneho naprašovania. Úlohou študenta bude oboznámenie sa so základnými vlastnosťami MOS štruktúry s AlON dielektrickou vrstvou, ako aj porovnaním jej statických a dynamických vlastností. Práca bude zameraná na sledovanie prúdového kolapsu pomocou jednosmerných a impulzných meraní ako aj na sledovanie dlhodobej časovej stability skúmaných štruktúr.



Limitations of the topic

To sign up for a topic it is necessary to fulfil one of the following restrictions

Restrictions by study
The table shows restrictions by study to which the student has to be enrolled in order to sign up for the given topic.

Programme
I-EN Electronics and Photonics

Limit to courses
The table shows limitations of a course the student has to complete to be able to register for a given topic.

DepartmentCourse title
No suitable data found.