21. 10. 2019  6:38 Uršuľa
Akademický informačný systém

Prehľad vypísaných tém - Fakulta elektrotechniky a informatiky


Základné údaje

Typ práce: Diplomová práca
Názov témy: Elektrická charakterizácia štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN s AlON dielektrickou vrstvou pomocou reaktívneho naprašovania
Názov témy anglicky: Electrical characterization of MIS-HFET on GaN with AlON gate oxide
Stav témy: schválené (prof. Ing. Daniel Donoval, DrSc. - Garant študijného programu)
Vedúci práce: Ing. Roman Stoklas, PhD.
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky
Garantujúce pracovisko: Ústav elektroniky a fotoniky - FEI
Max. počet študentov: --
Akademický rok:2019/2020
Navrhol: Ing. Roman Stoklas, PhD.
Abstrakt: Pedagogický vedúci: Ing. M. Florovič, PhD. (ÚEF FEI STU) Tému vypisuje Elektrotechnický ústav SAV, pozri PhD štúdium na www.elu.sav.sk. Súčiastky vyrobené na báze GaN sú schopné dosiahnuť vysoký vysoko-frekvenčný výkon, ako aj pracovať v oblasti vysokých teplôt (~900°C). Taktiež vysoké hodnoty spontánnej a piezoelektrickej polarizácie GaN-u umožňujú vytvárať FET tranzistory s heteropriechodom, kde je ako bariéra použitý AlGaN príp. InAlN. Hlavné obmedzenia HFET tranzistorov sú vysoké zvodové prúdy a prúdový kolaps spôsobený pascami na povrchu resp. v objeme tranzistora. Zníženie týchto obmedzení dosiahneme depozíciou dielektrickej vrstvy pod hradlo (izolácia hradla) resp. medzi hradlom a ohmickými kontaktami, alebo ich kombináciou. V súčasnosti je vo veľkej miere využívaná depozícia po atomárnych vrstvách (ALD). Nízkoteplotná depozícia (pod 100°C) je spojená s vyššou hustotou stavov na rozhraní oxid/polovodič v porovnaní s depozíciou nad 250°C. Ako alternatíva k nízkoteplotnej ALD ja v rámci diolomovej práce sústredíme na analýzu dielektrickej vrstvy pripravnej pomocou reaktívneho naprašovania. Úlohou študenta bude oboznámenie sa so základnými vlastnosťami MOS štruktúry s AlON dielektrickou vrstvou, ako aj porovnaním jej statických a dynamických vlastností. Práca bude zameraná na sledovanie prúdového kolapsu pomocou jednosmerných a impulzných meraní ako aj na sledovanie dlhodobej časovej stability skúmaných štruktúr.



Obmedzenie k téme

Na prihlásenie riešiteľa na tému je potrebné splnenie jedného z nasledujúcich obmedzení

Obmedzenie podľa štúdia
Tabuľka zobrazuje obmedzenia podľa štúdia, na ktoré musí byť študent zapísaný, aby sa mohol na danú tému prihlásiť.

Program
I-EN elektronika a fotonika

Obmedzenie na predmety
Tabuľka zobrazuje obmedzenia na predmet, ktorý musí mať študent odštudovaný, aby sa mohol na danú tému prihlásiť.

PracoviskoNázov predmetu
Nenájdené žiadne vyhovujúce dáta.