25. 4. 2019  6:12 Marek
Akademický informační systém

Přehled vypsaných témat - Fakulta elektrotechniky a informatiky


Základní údaje

Typ práce: Bakalářská práce
Název tématu: Modelovanie a simulácia výkonového SiC tranzistora
Název tématu anglicky: Modeling and simulation of power SiC transistor
Stav tématu: schváleno (prof. Ing. Daniel Donoval, DrSc. - Garant studijního programu)
Vedoucí práce: Ing. Juraj Marek, PhD.
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a informatiky
Garantující pracoviště: Ústav elektroniky a fotoniky (FEI)
Max. počet studentů: --
Akademický rok:2018/2019
Navrhl: Ing. Juraj Marek, PhD.
Abstrakt: Témou práce je vytvoriť počítačový model SiC tranzistora (MOSFET/IGBT) a pomocou modelovania a simulácií optimalizovať jeho elektrické parametre.



Omezení k tématu

K přihlášení řešitele na téma je potřeba splnění jednoho z následujících omezení

Omezení na studijní program
Tabulka zobrazuje omezení na studijní program, obor, specializaci, který musí mít student zapsán, aby se mohl na dané téma přihlásit.

ProgramZaměřeníSpecializace
B-ELN elektronika-- nezadáno -- -- nezadáno --

Omezení na předměty
Tabulka zobrazuje omezení na předmět, který musí mít student odstudován, aby se mohl na dané téma přihlásit.

PracovištěNázev předmětu
Nenalezena žádná vyhovující data.