18. 10. 2019  1:02 Lukáš
Akademický informačný systém

Ústav elektroniky a fotoniky (FEI) - zoznam publikácií


V nasledujúcom súhrne sú uvedené všetky informácie evidované k publikáciám.

FLOROVIČ, M. -- SZOBOLOVSZKÝ, R. -- KOVÁČ, J. -- KOVÁČ, J. -- CHVÁLA, A. -- JACQUET, J. -- DELAGE, S L. Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT. Semiconductor Science and Technology, 34. s. 2019.

Originálny názov: Rigorous channel temperature analysis verified for InAlN/AlN/GaN HEMT
Slovenský názov:
Autor: Ing. Martin Florovič, PhD. (40%)
Ing. Robert Szobolovszký, PhD. (15%)
doc. Ing. Jaroslav Kováč, PhD. (15%)
prof. Ing. Jaroslav Kováč, CSc. (10%)
Ing. Aleš Chvála, PhD. (10%)
Jean-Claude Jacquet (5%)
Sylvain Laurent Delage (5%)
Pracovisko: Ústav elektroniky a fotoniky
Druh publikácie: články v časopisoch
Periodikum: Semiconductor Science and Technology
Číslo zväzku (ročník): 34
Od strany: 2019
Do strany: 2019
Počet strán: 1
Pôvodný jazyk: angličtina
Kategória publikácie: ADC Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
Vedný odbor:
Kľúčové slová: slovenčina: FET, GaN, HEMT, InAlN, dissipated power, temperature profile
Rok uplatnenia: 2019
Rok odoslania: 2019
 
Záznam vložil: Ing. Martin Florovič, PhD.
Posledná zmena: 25.05.2019 22:25 (Import dát z knižnice)


Bližšie určenie zdroja:

Semiconductor Science and Technology. 2019.

Originálny názov: Semiconductor Science and Technology
Anglický názov:
Český názov:
Editor:
Druh publikácie: zborník
ISBN:
Vydavateľ:
Miesto vydania:
Edícia a číslo zväzku:
Rok vydania: 2019
Číslo vydania:
Počet strán:
Typ rozsahu:
Druh zborníka:
Akcia:
Pôvodný jazyk:
Popis v originálnom jazyku:
Popis v anglickom jazyku:
Popis v českom jazyku:
Rok uplatnenia: 2019
Rok odoslania:
Posledná zmena: 25.05.2019 22:25 (Import dát z knižnice)