22. 11. 2019  16:47 Cecília
Akademický informační systém

Ústav elektroniky a fotoniky (FEI) - seznam publikací


V následujícím souhrnu jsou uvedeny veškeré informace evidované k publikaci.

MAREK, J. -- MIKOLÁŠEK, M. -- DROBNÝ, J. -- ZHAO, M. -- STOFFELS, S. -- KÓSA, A. -- BENKO, P. -- CHVÁLA, A. -- BAKEROOT, B. -- DECOUTERE, S. -- STUCHLÍKOVÁ, Ľ. Electrical and DLTS characterization of AlN buffers for GaN on Si technology. In WOCSDICE 2019. Cabourg, 2019: 2019.

Originální název: Electrical and DLTS characterization of AlN buffers for GaN on Si technology
Slovenský název:
Autor: Ing. Juraj Marek, PhD. (20%)
doc. Ing. Miroslav Mikolášek, PhD. (15%)
Ing. Jakub Drobný (10%)
Ming Zhao (5%)
Steve Stoffels (5%)
Ing. Arpád Kósa, PhD. (5%)
Ing. Peter Benko, PhD. (10%)
Ing. Aleš Chvála, PhD. (10%)
Benoit Bakeroot (5%)
Stefaan Decoutere (5%)
prof. Ing. Ľubica Stuchlíková, PhD. (10%)
Pracoviště: Ústav elektroniky a fotoniky
Druh publikace: příspěvky ve sbornících, kapitoly v monografiích/učebnicích, abstrakty
Sborník: WOCSDICE 2019
Podnázev:
Od strany:
Do strany:
Počet stran:
Původní jazyk: angličtina
Kategorie publikace: BEE Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných)
Vědní obor:
Rok uplatnění: 2019
Rok odeslání: 2019
 
Záznam vložil: Ing. Juraj Marek, PhD.
Poslední změna: 19.10.2019 22:20 (Import dat z knihovny)


Bližší určení zdroje:

WOCSDICE 2019. Cabourg, 2019: 2019.

Originální název: WOCSDICE 2019
Anglický název:
Český název:
Editor:
Druh publikace: sborník
ISBN:
Nakladatel:
Místo vydání: Cabourg, 2019
Edice a číslo svazku:
Rok vydání: 2019
Číslo vydání:
Počet stran:
Typ rozsahu:
Druh sborníku:
Akce:
Původní jazyk:
Popis v originálním jazyce:
Popis v anglickém jazyce:
Popis v českém jazyce:
Rok uplatnění: 2019
Rok odeslání:
Poslední změna: 31.08.2019 22:20 (Import dat z knihovny)