23. 10. 2019  10:23 Alojza
Akademický informačný systém

Ústav elektroniky a fotoniky (FEI) - zoznam publikácií


V nasledujúcom súhrne sú uvedené všetky informácie evidované k publikáciám.

MAREK, J. -- MIKOLÁŠEK, M. -- DROBNÝ, J. -- ZHAO, M. -- STOFFELS, S. -- KÓSA, A. -- BENKO, P. -- CHVÁLA, A. -- BAKEROOT, B. -- DECOUTERE, S. -- STUCHLÍKOVÁ, Ľ. Electrical and DLTS characterization of AlN buffers for GaN on Si technology. In WOCSDICE 2019. Cabourg, 2019: 2019.

Originálny názov: Electrical and DLTS characterization of AlN buffers for GaN on Si technology
Slovenský názov:
Autor: Ing. Juraj Marek, PhD. (20%)
doc. Ing. Miroslav Mikolášek, PhD. (15%)
Ing. Jakub Drobný (10%)
Ming Zhao (5%)
Steve Stoffels (5%)
Ing. Arpád Kósa, PhD. (5%)
Ing. Peter Benko, PhD. (10%)
Ing. Aleš Chvála, PhD. (10%)
Benoit Bakeroot (5%)
Stefaan Decoutere (5%)
prof. Ing. Ľubica Stuchlíková, PhD. (10%)
Pracovisko: Ústav elektroniky a fotoniky
Druh publikácie: príspevky v zborníkoch, kapitoly v monografiách/učebniciach, abstrakty
Zborník: WOCSDICE 2019
Podnázov:
Od strany:
Do strany:
Počet strán:
Pôvodný jazyk: angličtina
Kategória publikácie: BEE Odborné práce v zahraničných zborníkoch (konferenčných aj nekonferenčných)
Vedný odbor:
Rok uplatnenia: 2019
Rok odoslania: 2019
 
Záznam vložil: Ing. Juraj Marek, PhD.
Posledná zmena: 19.10.2019 22:20 (Import dát z knižnice)


Bližšie určenie zdroja:

WOCSDICE 2019. Cabourg, 2019: 2019.

Originálny názov: WOCSDICE 2019
Anglický názov:
Český názov:
Editor:
Druh publikácie: zborník
ISBN:
Vydavateľ:
Miesto vydania: Cabourg, 2019
Edícia a číslo zväzku:
Rok vydania: 2019
Číslo vydania:
Počet strán:
Typ rozsahu:
Druh zborníka:
Akcia:
Pôvodný jazyk:
Popis v originálnom jazyku:
Popis v anglickom jazyku:
Popis v českom jazyku:
Rok uplatnenia: 2019
Rok odoslania:
Posledná zmena: 31.08.2019 22:20 (Import dát z knižnice)