20. 10. 2019  23:47 Vendelín
Akademický informačný systém

Ústav elektroniky a fotoniky (FEI) - zoznam publikácií


V nasledujúcom súhrne sú uvedené všetky informácie evidované k publikáciám.

SZOBOLOVSZKÝ, R. -- KOVÁČ, J. Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13. Dizertačná práca. Bratislava : 2019. 173 s.

Originálny názov: Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics: dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13
Český názov:
Autor: Ing. Robert Szobolovszký, PhD.
doc. Ing. Jaroslav Kováč, PhD.
Pracovisko: Ústav elektroniky a fotoniky
Druh publikácie: záverečná práca
Vysoká škola: -
Typ práce: Dizertačná práca
Miesto vydania: Bratislava
Rok vydania: 2019
Počet strán: 173
Pôvodný jazyk: angličtina
Popis v originálnom jazyku:
Popis v anglickom jazyku:
Popis v českom jazyku:
Kľúčové slová: slovenčina: SiC, GaN, PiN diodes, Tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov v kanály, High electron mobility transistor, PiN diódy
Rok uplatnenia: 2019
Rok odoslania:
 
Záznam vložil: Ing. Robert Szobolovszký, PhD.
Posledná zmena: 19.10.2019 22:20 (Import dát z knižnice)