23. 8. 2019  4:06 Filip
Akademický informační systém

Projekty


Tenké vrstvy oxidov pre pokročilé MOS štruktúry

Garant: doc. Ing. Ladislav Harmatha, PhD.


Základní informace   Pracovníci      


Na této stránce máte zobrazeny podrobné informace o projektu. U hlavních projektů se zobrazuje navíc seznam podprojektů.

Popis projektu:Projekt je zameraný na prípravu tenkých izolačných vrstiev s vysokou dielektrickou konštantou a MOS (kov-oxid-polovodič) štruktúr, obsahujúcich tieto vrstvy. Tenké vrstvy a MOS štruktúry budú pripravované technológiou nanášania z pár organokovových zlúčenín. Elektrické vlastnosti pripravených štruktúr budú skúmané pomocou kapacitno-napäťových, prúdovo-napäťových a prierazných charakteristík. Cieľom je integrovať tenké izolačné vrstvy s vysokou dielektrickou konštantou do MOS štruktúr pre CMOS technológiu na báze kremíka a tiež do MOS štruktúr na báze III-V polovodičov (GaN).
Druh projektu:APVV ()
Pracoviště:Katedra mikroelektroniky (FEI)
Identifikace projektu:APVT-51-017004
Stav projektu:Ukončený úspěšně
Datum zahájení projektu:01. 01. 2005
Datum ukončení projektu:31. 12. 2007
Počet pracovníků projektu:2
Počet oficiálních pracovníků projektu:0