26. 8. 2019  5:19 Samuel
Akademický informačný systém

Projekty


Tenké vrstvy oxidov pre pokročilé MOS štruktúry

Garant: doc. Ing. Ladislav Harmatha, PhD.


Základné informácie   Pracovníci      


Na tejto stránke máte zobrazené podrobné informácie o projekte. Pri hlavných projektoch sa zobrazuje navyše zoznam podprojektov.

Popis projektu:Projekt je zameraný na prípravu tenkých izolačných vrstiev s vysokou dielektrickou konštantou a MOS (kov-oxid-polovodič) štruktúr, obsahujúcich tieto vrstvy. Tenké vrstvy a MOS štruktúry budú pripravované technológiou nanášania z pár organokovových zlúčenín. Elektrické vlastnosti pripravených štruktúr budú skúmané pomocou kapacitno-napäťových, prúdovo-napäťových a prierazných charakteristík. Cieľom je integrovať tenké izolačné vrstvy s vysokou dielektrickou konštantou do MOS štruktúr pre CMOS technológiu na báze kremíka a tiež do MOS štruktúr na báze III-V polovodičov (GaN).
Druh projektu:APVV ()
Pracovisko:Katedra mikroelektroniky (FEI)
Identifikácia projektu:APVT-51-017004
Stav projektu:Ukončený úspešne
Dátum začatia projektu:01. 01. 2005
Dátum ukončenia projektu:31. 12. 2007
Počet pracovníkov projektu:2
Počet oficiálnych pracovníkov projektu:0