14. 10. 2019  15:41 Boris
Akademický informační systém

Projekty


Modelovanie a simulácia elektrických vlastností štruktúr na báze širokopásmových polovodičov

Garant: Ing. Juraj Racko, CSc.


Základní informace   Pracovníci      


Na této stránce máte zobrazeny podrobné informace o projektu. U hlavních projektů se zobrazuje navíc seznam podprojektů.

Popis projektu:Rastúce požiadavky na spoľahlivosť elektronických prvkov, v súvislosti so zmenšovan im ich geometrických rozmerov až do nanometrovej oblasti, vyžadujú lepšie poznanie nových javov a mechanizmov prenosu prúdu na fyzikálnych hraniciach. Významnú úlohu má pritom modelovanie a simulácia, ktoré možno efektivne využiť pri fyzikálnej interpretácii experimentálnych výsledkov, predpovedani vlastností a optimalizácii technologického procesu prfpravy nových štruktúr. Preto sa budeme venovať tvorbe fyzikálno-matematického modelu kvantovo-mechanického prenosu náboja v polovodičoch s veľkou širkou energetickej medzery podporovaného priamym tunelovanim voľných nosičov náboja cez potenciálové bariéry, vrátane nepriameho tunelovania cez záchytné poruchové centrá prltomné na rozhraniach typu heteropriechod, kov-polovodič a izolátor-poiovodič. Uvedené modely budeme aplikovať na výkonové prvky na heteroštruktúrach na báze GaN, ale aj pri vývoji solárnych článkov na báze štruktúr amorfného kremika a-Si:H s kryš!afickým c-Si.
Druh projektu:VEGA ()
Pracoviště:Katedra mikroelektroniky (FEI)
Identifikace projektu:1/0601/10
Stav projektu:Ukončený úspěšně
Datum zahájení projektu:01. 01. 2010
Datum ukončení projektu:31. 12. 2011
Počet pracovníků projektu:12
Počet oficiálních pracovníků projektu:0