Mar 27, 2019   3:21 a.m. Alena
Academic information system

Projects


MORGaN - " Materials for Robust Gallium Nitride"

Supervisor: prof. Ing. Jaroslav Kováč, CSc.


Basic information   Workers      


This page shows details on the project. The primary projects are displayed together with a list of sub-projects.

Project description:Projekt bol zameraný na vývoj nových materiálov na báze GaN a heteroštruktúry InAlN/GaN pre elektronické prvky a senzory pracujúce v extrémnych podmienkach hlavne vysokých teplotách, vysokých elektrických poliach a škodlivých prostrediach. Úlohou STU bolo podieľať sa na vývoji a optimalizácii technológie prípravy elektrickým poľom riadených tranzistorov s vysokou pohyblivosťou na báze heteroštruktúr typu HEMT. Na pripravených štruktúrach Schottkyho diód a HEMT tranzistorov boli realizované merania a analýza ich elektrických vlastností metódami I-V, C-V, DLTS a mikrovlnných meraní v širokom teplotnom rozsahu pre určenie a modelovanie ich fyzikálnych parametrov. Pomocou analytických metód SEM, SIMS, AFM a mikro-Ramanovej spektroskopie boli charakterizované štrukturálne vlastnosti a povrchová morfológia substrátov typu diamant, SiC, Si a kompozitných substrátov s deponovanými vrstvami diamantu, AlN, GaN, InAlN.
Kind of project:Nanosciences, nanotechnologies, materials and new production technologies ()
Department:Department of microelectronics (FEEIT)
Project identification:FP7-NMP-2007-LARGE-1
Project status:Successfully completed
Project start date :01. 11. 2008
Project close date:31. 10. 2010
Number of workers in the project:4
Number of official workers in the project:0